產(chǎn)品/服務(wù)介紹

(一) 技術(shù)水平

我們的產(chǎn)品為氮化硅（Si₃N₄）陶瓷基板，是制造大規(guī)模集成電路和封測(cè)的基礎(chǔ)材料，見圖 2。事關(guān)每個(gè)人的日常生活，乃至國(guó)家安全（圖 3）。

圖 2  氮化硅陶瓷基板

圖 3  氮化硅基板的重要應(yīng)用領(lǐng)域

公司掌握了國(guó)內(nèi)外企業(yè)、高等院校和研究院所的先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)和研究成果，設(shè)計(jì)了國(guó)內(nèi)唯一氮化硅陶瓷基板自動(dòng)化生產(chǎn)線，產(chǎn)品經(jīng)多家用戶檢測(cè)和軍方權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測(cè)，驗(yàn)證結(jié)果與國(guó)外產(chǎn)品相當(dāng)，局部?jī)?yōu)于國(guó)外產(chǎn)品。

氮化硅（Si₃N₄）基板與BeO、Al₂O₃和AlN基板相比較，具有綜合性能最佳、使用壽命最長(zhǎng)（是AlN的15~20倍）、可靠性最好的特點(diǎn)，詳細(xì)如下：

l 絕緣性好：電阻率=1.0×10¹⁵~10¹⁶，電阻率約是BeO和AlN的10倍，Al₂O₃的10萬倍

l 導(dǎo)熱性強(qiáng)：熱導(dǎo)率=80-177（理論值達(dá)320），熱導(dǎo)率是Al₂O₃的3倍以上，與AlN相當(dāng)，略遜于BeO

l 反應(yīng)靈敏：介電常數(shù)=9.4，與Al₂O₃和AlN相當(dāng)

l 熱穩(wěn)定：熱膨脹系數(shù)=3，遠(yuǎn)低于BeO，比AlN低，約為Al₂O₃的1/3

l 壽命長(zhǎng)：耐熱循環(huán)次數(shù)=2000~5000次，是AlN和Al₂O₃的15~20倍，大大降低設(shè)備折舊成本

l 抗振動(dòng)：高模量、機(jī)械強(qiáng)度大。

l BeO屬于劇毒產(chǎn)品，僅用于要求特殊的航天和導(dǎo)彈戰(zhàn)斗部

l Al₂O₃和是目前價(jià)格最便宜的基板，但是其導(dǎo)熱性和使用壽命遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的要求。

l AlN的主要問題是價(jià)格高（與Si₃N₄相當(dāng)）但可靠性只有Si₃N₄的十分之一。

l Si₃N₄基板具有向下兼容的特點(diǎn)，無需驗(yàn)證即可直接替代上述三種基板，不必再次驗(yàn)證。

l 隨著Si₃N₄相基板的產(chǎn)量的增加和價(jià)格的下降，將逐步代替原來由Al₂O₃和AlN占據(jù)的市場(chǎng)份額，

(二) 新穎性、先進(jìn)性和獨(dú)特性

l 產(chǎn)品屬于國(guó)家“核高基”領(lǐng)域的軍民兩用卡脖子產(chǎn)品，在細(xì)分行業(yè)處于領(lǐng)軍地位，市場(chǎng)緊缺，替代進(jìn)口。

l 設(shè)計(jì)了國(guó)內(nèi)唯一氮化硅陶瓷基板自動(dòng)化生產(chǎn)線，嚴(yán)格的預(yù)處理技術(shù)和先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)保證了氮化硅基板在微量元素含量、N/O比值、表面粗糙度、晶粒尺寸和晶間相等方面的嚴(yán)格要求，晶格缺陷大大減少了，性能指標(biāo)大大提升。

l 形成了既滿足量大面廣的民用產(chǎn)品的要求、還可提供高性能指標(biāo)的基板和/或基片，形成高低搭配的、全方位的系列產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)體系。