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氮化硅(Si3N4)陶瓷基板


產(chǎn)/服務(wù)介紹

(一) 技術(shù)水平

我們的產(chǎn)品為氮化硅(Si3N4)陶瓷基板,是制造大規(guī)模集成電路和封測(cè)的基礎(chǔ)材料,見(jiàn)圖 2。事關(guān)每個(gè)人的日常生活,乃至國(guó)家安全(圖 3)。

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圖 2  氮化硅陶瓷基板

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圖 3  氮化硅基板的重要應(yīng)用領(lǐng)域

 

公司掌握了國(guó)內(nèi)外企業(yè)、高等院校和研究院所的先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)和研究成果,設(shè)計(jì)了國(guó)內(nèi)唯一氮化硅陶瓷基板自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn),產(chǎn)品經(jīng)多家用戶(hù)檢測(cè)和軍方權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測(cè),驗(yàn)證結(jié)果與國(guó)外產(chǎn)品相當(dāng),局部?jī)?yōu)于國(guó)外產(chǎn)品。

氮化硅(Si3N4)基板與BeOAl2O3AlN基板相比較,具有綜合性能最佳、使用壽命最長(zhǎng)(是AlN15~20倍)、可靠性最好的特點(diǎn),詳細(xì)如下:

絕緣性好:電阻率=1.0×1015~1016,電阻率約是BeOAlN10倍,Al2O310萬(wàn)倍

導(dǎo)熱性強(qiáng):熱導(dǎo)率=80-177(理論值達(dá)320),熱導(dǎo)率是Al2O33倍以上,與AlN相當(dāng),略遜于BeO

反應(yīng)靈敏:介電常數(shù)=9.4,與Al2O3AlN相當(dāng)

熱穩(wěn)定:熱膨脹系數(shù)=3,遠(yuǎn)低于BeO,比AlN低,約為Al2O31/3

壽命長(zhǎng):耐熱循環(huán)次數(shù)=2000~5000次,是AlNAl2O315~20倍,大大降低設(shè)備折舊成本

抗振動(dòng):高模量、機(jī)械強(qiáng)度大。

BeO屬于劇毒產(chǎn)品,僅用于要求特殊的航天和導(dǎo)彈戰(zhàn)斗部

Al2O3和是目前價(jià)格最便宜的基板,但是其導(dǎo)熱性和使用壽命遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿(mǎn)足第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的要求。

AlN的主要問(wèn)題是價(jià)格高(與Si3N4相當(dāng))但可靠性只有Si3N4的十分之一。

Si3N4基板具有向下兼容的特點(diǎn),無(wú)需驗(yàn)證即可直接替代上述三種基板,不必再次驗(yàn)證。

隨著Si3N4相基板的產(chǎn)量的增加和價(jià)格的下降,將逐步代替原來(lái)由Al2O3AlN占據(jù)的市場(chǎng)份額,

(二) 新穎性、先進(jìn)性和獨(dú)特性

產(chǎn)品屬于國(guó)家核高基領(lǐng)域的軍民兩用卡脖子產(chǎn)品,在細(xì)分行業(yè)處于領(lǐng)軍地位,市場(chǎng)緊缺,替代進(jìn)口。

設(shè)計(jì)了國(guó)內(nèi)唯一氮化硅陶瓷基板自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn),嚴(yán)格的預(yù)處理技術(shù)和先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)保證了氮化硅基板在微量元素含量、N/O比值、表面粗糙度、晶粒尺寸和晶間相等方面的嚴(yán)格要求,晶格缺陷大大減少了,性能指標(biāo)大大提升。

形成了既滿(mǎn)足量大面廣的民用產(chǎn)品的要求、還可提供高性能指標(biāo)的基板和/或基片,形成高低搭配的、全方位的系列產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)體系。






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